[发明专利]易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物

权利要求书

1.一种具有通式(Ⅰ)的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物：

其中，R¹、R²、R³选自氢原子、C₁～C₆烷基、C₂～C₅链烯基、C₃～C₁₀环烷基、C₆～C₁₀芳基或—Si(R⁴)₃，R⁴为C₁～C₆烷基。

2.如权利要求1所述的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物，其特征是：所述R¹，R²，R³相同或不相同。

3.一种易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物的制备方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)将吡唑或其衍生物溶解在反应溶剂中，吡唑或其衍生物与反应溶剂的质量比为1:10～1:20，在-78～0℃保持搅拌的条件下加入烷基锂溶液中，吡唑或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1～1.2，烷基锂溶液的浓度为1.0～1.6M，搅拌速度为800～2000转/分钟；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物；所述反应溶剂为正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃或乙醚；

(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，收集滤渣，得到锂盐固体，将锂盐固体与甲苯混合，锂盐固体与甲苯的质量比为1:10～20，得到锂盐的甲苯溶液；

(3)在-78～0℃按照锂盐与二氯化锗摩尔比2:1～1.1，将锂盐的甲苯溶液滴加到二氯化锗的甲苯溶液中，缓慢升温至室温，在室温下继续搅拌反应2～6小时；

(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，所得滤渣在己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃或乙醚中进行低温结晶，得到所述的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述烷基锂溶液为甲基锂、正丁基锂、叔丁基锂的乙醚或者正己烷溶液。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)中，二氯化锗的质量百分浓度为10～20％。

6.如权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)中，升温速度为0.5～1℃/分钟。

7.如权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，将滤液浓缩后，再进行低温结晶，得到所述的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物；所述滤液浓缩的条件为：在20～50℃加压浓缩，压力为0.05～0.15MPa。

8.吡唑基Ge(Ⅱ)化合物用作微电子材料前质体的应用，其特征是：通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备金属或金属合金薄膜。