[发明专利]一种烧结后硅片氧化层新型处理方法在审
| 申请号： | 201410342747.5 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104157563A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王道强;陈宏胤 | 申请（专利权）人： | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 赵秀斌 |
| 地址： | 225116 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种玻璃烧结后的GPP硅片氧化层的新型处理方法，包括：取烧结后的硅片，在混合酸溶液中处理4～10min，流动水冲洗14～16min。本方法在不破坏玻璃的前提下快速的去除氧化层，使硅片镍层更加均匀，缩短了生产周期，节省了成本，提升了机械良率，产品质量更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 硅片 氧化 新型 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片烧结后新型后处理方法，包括：取烧结后的硅片，在混合酸溶液中处理4～10min，流动水冲洗14～16min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州虹扬科技发展有限公司，未经扬州虹扬科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410342747.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
