[发明专利]一种烧结后硅片氧化层新型处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种烧结后硅片氧化层新型处理方法，属于硅片表面处理技术领域。

背景技术

氢氟酸(HF)是氟化氢气体的水溶液，无色，有刺激性气味。具有强烈的腐蚀性。用氟化氢溶于水而得。氢氟酸在铝和铀的提纯中起着重要作用。它也可用来蚀刻玻璃，去硅表面的氧化物，在炼油厂中它可以用作异丁烷和丁烷的烷基化反应的催化剂。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是熔凝后硅片新型后处理方法，本方法在不破坏玻璃的前提下快速的去除氧化层，使硅片镍层更加均匀，缩短了生产周期，节省了成本，提升了机械良率，产品质量更加稳定。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种烧结后硅片新型后处理方法，包括：取烧结后的硅片，在混合酸溶液中处理4～10min，流动水冲洗14～16min。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述混合酸溶液由氢氟酸、氟化铵、纯水体积比1～2：2～4：1～3组成，温度为38～42℃。

进一步，所述氢氟酸为进口氢氟酸，级别为电子级。

进一步，化铵级别为分析纯，一瓶250g。

进一步，所述纯水指不含杂质的H2O。

进一步，所述流动水指的是流动的纯水。

本发明的有益效果是：

现有技术利用喷砂机去除硅片烧结后的氧化层，喷砂机的效率很低，带速慢，且喷砂时的压力对硅片造成机械损伤，降低机械良率，喷砂机喷砂时喷枪的出砂量很难均匀的控制，导致氧化层去除不均匀，玻璃容易被破坏，喷砂造成的碎片不及时清理会影响之后硅片的良率，喷完砂的硅片镀镍前清洗清洗方式比较复杂，比较麻烦，浪费化学试剂，增加了成本。

本方法使用混合酸溶液代替喷砂机去除烧结后硅片的氧化层，采用的是化学试剂去除氧化层，效率高，对硅片的损伤很小，提升了硅片的机械良率，氧化层去除均匀，镀镍前清洗简单，节省了成本，宿短了周期，用混合酸溶液去除硅片熔凝后的氧化层，镀镍后外观光亮，本发明方法处理硅片熔凝后的氧化层，提升了硅片的机械良率，缩短了生产周期，节省了成本，镀镍前清洗处理由复杂变成简单，镍层均匀。

具体实施方式

以下对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

实施例1

取熔凝后的硅片，在温控温显的条件下，将混合酸溶液温度控制在38～42℃，烧结后的硅片放入混合酸溶液中处理4～5min，所述混合酸溶液由氢氟酸、氟化铵、纯水体积比1：2：1.5组成，流动水冲洗14～16min。本实施例处理硅片烧结后的氧化层，提升了硅片的机械良率，缩短了生产周期，节省了成本，镀镍前清洗处理由复杂变成简单，硅片镀镍后镍层均匀。

实施例2

取烧结后的硅片，在温控温显的条件下，将混合酸溶液温度控制在38～42℃，烧结后的硅片放入混合酸溶液中处理6～10min，所述混合酸溶液由氢氟酸、氟化铵、纯水体积比1：2：1.8组成，流动水冲洗14～16min。本实施例处理硅片烧结后的氧化层，提升了硅片的机械良率，缩短了生产周期，节省了成本，镀镍前清洗处理由复杂变成简单，硅片镀镍后镍层均匀。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。