[发明专利]一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法在审
| 申请号： | 201410341931.8 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104134610A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 卢吴越;陈之战;程越;谈嘉慧 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 周云 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明包括步骤：清洁SiC衬底表面，以激光在高真空、惰性气体或惰性液体保护氛围中，从衬底正面进行辐照或从衬底背面进行辐照，在SiC表面制备接触层，得到欧姆接触。本发明利用衬底SiC与激光相互作用后性能的改变，使电极材料沉积在衬底表面之后无需进一步热处理就可直接得到欧姆接触，简化了工艺流程，避免了热处理过程对接触层性能的影响，为提高以SiC为衬底的半导体器件的质量提供技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 辐照 处理 制备 sic 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法，包括清洁SiC衬底表面，在SiC表面制备接触层，得到欧姆接触，其特征是，以激光在高真空、惰性气体或惰性液体保护氛围中对衬底表面进行辐照。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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