[发明专利]一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法在审
| 申请号： | 201410341931.8 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104134610A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 卢吴越;陈之战;程越;谈嘉慧 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 周云 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 辐照 处理 制备 sic 欧姆 接触 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法，包括清洁SiC衬底表面，在SiC表面制备接触层，得到欧姆接触，其特征是，以激光在高真空、惰性气体或惰性液体保护氛围中对衬底表面进行辐照。
2.如权利要求1所述的一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法，其特征是：所述SiC，为单晶，如4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC晶型或多晶，是导电型或者半绝缘型。
3.如权利要求1所述的一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法，其特征是：所述激光波长小于500nm。
4.如权利要求1所述的一种用激光辐照处理制备SiC欧姆接触的方法，其特征是：所述激光处理过程，激光从衬底正面进行辐照或从衬底背面进行辐照。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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