[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201410340990.3 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104425716A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李伯浩;邹宗成;朱文定 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构，其包括导电层和导电层上方的电阻可配置结构。电阻可配置结构包括第一电极、第一电极上方的电阻可配置层以及电阻可配置层上方的第二电极。第一电极具有第一侧壁、第二侧壁以及导电层上的底面。第一侧壁和第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构。本公开还提供一种用于制造以上半导体结构的方法，包括：图案化导电层上的硬掩模；在硬掩模周围形成间隔件；去除硬掩模的至少一部分；在间隔件上形成共形电阻可配置层；以及在共形电阻可配置层上形成第二导电层。本公开还提供了一种制造电阻式随机存取存储器(RRAM)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：导电层；电阻可配置结构，位于所述导电层上方，所述电阻可配置结构包括：第一电极，包括第一侧壁、第二侧壁以及所述导电层上的底面，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构；电阻可配置层，位于所述第一电极上方；以及第二电极，位于所述电阻可配置层上方。
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