[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

导电层；

电阻可配置结构，位于所述导电层上方，所述电阻可配置结构包括：

第一电极，包括第一侧壁、第二侧壁以及所述导电层上的底面，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构；

电阻可配置层，位于所述第一电极上方；以及

第二电极，位于所述电阻可配置层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体，其中，所述电场增强结构包括约或小于90度的角。

3.根据权利要求1所述的半导体，其中，所述电阻可配置结构还包括：介电层，位于所述导电层上，并且所述介电层与所述第一侧壁的至少一部分接触。

4.根据权利要求3所述的半导体，其中，所述介电层的高度与所述第一侧壁的高度的比值在约0.2至约1.0的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体，其中，所述第二电极包括与所述电阻可配置层接触的氧剥夺层，所述氧剥夺层被配置为从所述电阻可配置层剥夺氧。

6.根据权利要求1所述的半导体，其中，所述第一电极的底面包括约或小于20nm的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体，其中，所述电阻可配置层包括约或小于150埃的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每个都包括选自主要由Pt、AlCu、TiN、Au、Ti、Ta、TaN、W、WN和Cu构成的组的至少一种。

9.一种电阻式随机存取存储器(RRAM)，包括：

第一介电层，包括顶面；

金属-绝缘体-金属(MIM)结构，定位于所述第一介电层上，所述MIM结构包括：

第一电极，位于所述第一介电层的顶面上，所述第一电极包括电场增强结构，所述电场增强结构具有垂直于所述介电层的顶面的第一侧壁和包括弧的第二侧壁；

电阻可配置层，位于所述电场增强结构上方；以及

第二电极，位于所述电阻可配置层上方。

10.一种制造电阻式随机存取存储器(RRAM)的方法，包括：

图案化第一导电层上的硬掩模；

在所述硬掩模周围形成间隔件，所述间隔件包括与所述硬掩模接触的垂直侧壁；

去除所述硬掩模的至少一部分，以暴露所述间隔件的垂直侧壁的至少一部分；

在所述间隔件上方形成共形电阻可配置层；以及

在所述共形电阻可配置层上方形成第二导电层。