[发明专利]一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法在审
| 申请号： | 201410339623.1 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104104497A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡士琦;孙晓红;田婷;张晓东 | 申请（专利权）人： | 东南大学苏州研究院 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法，所述混沌电路包括：HBT，采用共基极连接，作为混沌信号源中的增益元件；谐振网络，连接HBT的输出端，产生混沌信号；电流源，连接HBT的发射极。具体的设计方法包括步骤：建立电路的数学模型；计算具有寄生电容的电路状态方程；提取状态参数和控制参数；模型仿真。本发明采用用寄生电容较小的砷化镓工艺HBT作为混沌信号源中的增益元件，减小寄生电容对混沌电路工作状态的影响；在电路中加入了射级跟随器，减少外界微扰对电路状态的影响；电流源用镜像电流源构成，提高了电路的稳定性；单片微波集成电路具有电路损耗小、频带宽、动态范围大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 砷化镓 工艺 波段 混沌 电路 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路，其特征在于，包括：HBT，采用共基极连接，作为混沌信号源中的增益元件；谐振网络，连接HBT的输出端，产生混沌信号；电流源，连接HBT的发射极。
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