[发明专利]一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法

权利要求书

1.一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路，其特征在于，包括：

HBT，采用共基极连接，作为混沌信号源中的增益元件；

谐振网络，连接HBT的输出端，产生混沌信号；

电流源，连接HBT的发射极。

2.根据权利要求1所述的基于砷化镓工艺的L波段混沌电路，其特征在于：所述谐振网络输出端通过一耦合电容连接一射极跟随器。

3.根据权利要求1所述的基于砷化镓工艺的L波段混沌电路，其特征在于：所述电流源采用镜像电流源。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的基于砷化镓工艺的L波段混沌电路，其特征在于：所有器件将集成于片内。

5.基于砷化镓工艺的L波段混沌电路的设计方法，其特征在于，包括步骤：

1)  根据上述混沌电路结构，建立电路的数学模型；

2)  画出小信号混沌电路的等效电路图，计算具有寄生电容的电路状态方程；

3)  对状态方程进行简化，提取状态参数和控制参数；

4)  在MATLAB上进行模型仿真，模拟具有寄生参数的电路模型，得到状态参量的运动轨迹并判断其是否进入混沌状态，从改进后的分叉图中得到控制参量数值；

5)  根据控制参量的数值计算出电路中各电容、电感、电阻值，在电路设计软件上进行电路仿真，调整电路中的参数值，得到混沌电路的时域波形和频域分布图。