[发明专利]由杂质离子植入调整的通道半导体合金层成长

摘要

本发明涉及由杂质离子植入调整的通道半导体合金层成长，提供一种改良的方法，用于形成薄的半导体合金层在半导体层顶部上。所提出的方法是依靠在实行半导体合金薄膜沉积之前，适当的杂质物种的植入。对在沉积之后在该装置表面上实行湿式和干式蚀刻而言，该植入的物种使得该半导体合金层较为稳定。因此，若在实行该植入之后沉积该薄膜，可以实质地增加该半导体合金层薄膜的厚度均匀性。另一方面，已发现某些植入的杂质会降低该半导体合金层的成长速率。因此，通过选择性地植入适当的杂质在晶圆的预定区域中，可使用单一的沉积步骤来形成具有可以局部任意调整的厚度的半导体合金层。

主权项

一种形成晶体管结构的方法，包括：提供其上定义具有第一有源区域和第二有源区域的半导体层，其中，该第一有源区域的尺寸小于该第二有源区域的尺寸；植入杂质离子到该半导体层中存在有掩模屏蔽该半导体层的该第二有源区域的该第一有源区域，其中，该植入的杂质离子的物种包含中性物种或能够影响该晶体管结构的阈值电压电平的物种；以及在实行该杂质离子植入之后，形成半导体合金层在该半导体层的表面上。