[发明专利]荧光读出的可擦重写相变光盘有效
| 申请号： | 201410336500.2 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104157298B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王阳;张科;林金成;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B7/2433 | 分类号： | G11B7/2433;G11B7/2548;G11B7/2578;G11B7/2534 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种荧光读出的可擦重写相变光盘，该光盘包括上保护层、记录层、下保护层和盘基，其特征在于所述的记录层是荧光相变记录层，所述的荧光相变记录层是由厚度10～200nm的BiSb掺杂Sb2Te3‑GeTe薄膜或NiO掺杂Sb2Te3‑GeTe薄膜构成。该光盘既保留了常规相变光盘写擦速度快、数据保持力强和循环稳定性高的特点，同时大大提高了读出性噪比。且由于不是反射式读出，不需要额外的金属反射层，比常规相变光盘的膜层结构更加简单。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 读出 重写 相变 光盘 | ||
【主权项】：
一种荧光读出的可擦重写相变光盘，该光盘由上至下依次包括上保护层、记录层、下保护层和盘基，其特征在于所述的记录层是荧光相变记录层，所述的荧光相变记录层是由厚度10～200nm的BiSb掺杂Sb2Te3‑GeTe薄膜构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410336500.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
