[发明专利]荧光读出的可擦重写相变光盘有效
| 申请号： | 201410336500.2 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104157298B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王阳;张科;林金成;吴谊群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B7/2433 | 分类号： | G11B7/2433;G11B7/2548;G11B7/2578;G11B7/2534 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光 读出 重写 相变 光盘 | ||
【权利要求书】：
1.一种荧光读出的可擦重写相变光盘，该光盘由上至下依次包括上保护层、记录层、下保护层和盘基，其特征在于所述的记录层是荧光相变记录层，所述的荧光相变记录层是由厚度10～200nm的BiSb掺杂Sb2Te3-GeTe薄膜构成。
2.根据权利要求1所述的荧光读出的可擦重写相变光盘，其特征在于所述的上保护层和下保护层是由厚度10～1000nm的SiN或ZnS-SiO2薄膜构成。
3.根据权利要求1所述的荧光读出的可擦重写相变光盘，其特征在于所述的荧光相变记录层的荧光离子为Bi离子，掺杂原子比分别为0.1-1at.％。
4.根据权利要求1至3任一项所述的荧光读出的可擦重写相变光盘，其特征在于所述的盘基是由厚度为0.6mm或1.1mm或1.2mm的聚碳酸酯构成。
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