[发明专利]单晶硅及其制造方法

摘要

本发明涉及通过CZ法提供能够适用于面向高电压的IGBT用硅基板的低碳浓度的单晶硅及其制造方法。以碳浓度1.0×1015atoms/cm3以下的多晶硅为原料，对原料熔液2施加横向磁场，并使石英坩埚3的转速为5.0rpm以下，在从原料熔液表面起直至下述Y的20～50%的位置处以下述式（1）所示的流速A［m/sec］通入惰性气体，Q惰性气体的流量［L/min］P炉内压力［托］X防辐射罩的开口部直径［mm］Y从原料熔液表面起直至防辐射罩下端的距离［mm］α校正系数直至结晶固化率30%的时刻，使流速A为0.2～5000/d［m/sec］（d结晶直体部直径［mm］），并且使侧部加热器4和底部加热器5的合计动力的降低率为3～30%、侧部加热器4的动力的降低率为5～45%。

主权项

单晶硅的制造方法，其特征在于，在利用丘克拉斯基法的单晶硅提拉中，以碳浓度为1.0×1015atoms/cm3以下的多晶硅作为原料，对原料熔液施加横向磁场，并使填充有所述原料熔液的石英坩埚的转速为5.0rpm以下，在从所述原料熔液表面起直至防辐射罩下端为止的距离Y的20～50%的范围内的位置处以下述式（1）所示的流速A［m/sec］通入惰性气体，[式1]Q：惰性气体的流量［L/min］P：炉内压力［托］X：防辐射罩的开口部直径［mm］Y：从原料熔液表面起直至防辐射罩下端为止的距离［mm］α：校正系数将被提拉的结晶的直体部直径设为d［mm］时，至少从所述原料熔融开始时起直至被提拉的结晶的固化率达到30%的时刻为止，使流速A为0.2～5000/d［m/sec］的范围内，所述惰性气体的流量Q为50～200L/min，所述炉内压力P为5～100托，所述防辐射罩的开口部直径X为d＋20～d＋50［mm］，从所述原料熔液表面起直至防辐射罩下端为止的距离Y为10～40mm，并且，使从晶种与所述原料熔液接触时起直至被提拉的结晶的固化率达到30%的时刻为止的侧部加热器和底部加热器的合计功率的降低率为3～30%的范围内，侧部加热器的功率的降低率为5～45%的范围内。