[发明专利]一种具有抗单粒子烧毁能力的功率MOS器件在审
| 申请号： | 201410324225.2 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104078509A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;吴玉舟;张建刚;赖亚明;韩天宇;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种具有抗单粒子烧毁能力的功率MOS器件。本发明提出的抗单粒子烧毁的功率MOS器件中，通过位于重掺杂N型源区正下方的二氧化硅介质层，避开了器件正常工作时的电流通路，因此不影响器件的导通电阻，同时二氧化硅作为绝缘介质层在P型半导体基区内也不影响器件的击穿电压。本发明的有益效果为，极大地减小了高能粒子轰击产生的瞬时电流峰值；有效降低了辐照电流；在高电流密度时Pbody区中产生的横向电压由于二氧化硅介质层的隔离不会使寄生双极晶体管开启，防止形成电流正反馈效应而烧毁器件。本发明尤其适用于功率MOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 粒子 烧毁 能力 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种具有抗单粒子烧毁能力的功率MOS器件，包括N型衬底(2)、位于N型衬底(2)上层的N型外延层(3)；所述N型衬底下表面设置有金属化漏极(1)；所述N型外延层(3)上层的两侧分别设置有P型基区(4)；所述P型基区(4)中设置有相互独立的N型源区(5)和P型体区(6)；所述N型源区(5)与N型外延层(3)之间的P型基区(4)上表面、P型基区(4)之间的N型外延层(3)上表面设置有栅氧化层(7)；栅氧化层(7)上表面设置有多晶硅栅极(8)；两端的P型体区(6)上表面通过金属化源极(10)连接；金属化源极(10)与多晶硅栅极(8)之间设置有场氧化层(9)；其特征在于，所述N型源区(5)下表面设置有二氧化硅介质层(12)。
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