[发明专利]一种具有抗单粒子烧毁能力的功率MOS器件在审
| 申请号： | 201410324225.2 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104078509A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;吴玉舟;张建刚;赖亚明;韩天宇;任敏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 粒子 烧毁 能力 功率 mos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有抗单粒子烧毁能力的功率MOS器件，包括N型衬底(2)、位于N型衬底(2)上层的N型外延层(3)；所述N型衬底下表面设置有金属化漏极(1)；所述N型外延层(3)上层的两侧分别设置有P型基区(4)；所述P型基区(4)中设置有相互独立的N型源区(5)和P型体区(6)；所述N型源区(5)与N型外延层(3)之间的P型基区(4)上表面、P型基区(4)之间的N型外延层(3)上表面设置有栅氧化层(7)；栅氧化层(7)上表面设置有多晶硅栅极(8)；两端的P型体区(6)上表面通过金属化源极(10)连接；金属化源极(10)与多晶硅栅极(8)之间设置有场氧化层(9)；其特征在于，所述N型源区(5)下表面设置有二氧化硅介质层(12)。
2.根据权利要求1所述的一种具有抗单粒子烧毁能力的功率MOS器件，其特征在于，所述二氧化硅介质层(12)位于N型源区(5)和P型体区(6)下表面并与金属化源极(10)连接。
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