[发明专利]一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410316306.8 | 申请日： | 2014-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN104078564A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 毛巍威;李兴鳌;王兴福;韩玉敏;全楚烨;杨建波 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 江苏爱信律师事务所 32241 | 代理人： | 唐小红 |
| 地址： | 210023 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于信息存储技术领域，具体公开了一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法。所述存储器由衬底、底电极、阻变存储层和顶电极组成，器件单元为三明治结构，阻变存储层位于底电极和顶电极之间，阻变存储层采用掺杂铁酸铋。具体制备方法为，首先在衬底上用磁控溅射的方法沉积金属层作为底电极，然后在金属层上生长掺杂的铁酸铋薄膜，选用自制的掺杂铁酸铋的靶材，最后用磁控溅射的方法沉积形成顶电极，这样得到基于掺杂铁酸铋的阻变存储器。该阻变存储器性能稳定，制作成本低，结构简单，制造过程简单，对设备要求不高，易于大规模制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 掺杂 铁酸铋 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器，其特征包括有四层，依次是：衬底（1）、底电极（2）、阻变存储层（3）和顶电极（4）；衬底（1）为半导体材料或者玻璃等材料；底电极（2）和顶电极（4）为金属材料；阻变存储层（3）为掺杂铁酸铋薄膜。
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