[发明专利]一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器，其特征包括有四层，依次是：衬底（1）、底电极（2）、阻变存储层（3）和顶电极（4）；

衬底（1）为半导体材料或者玻璃等材料；底电极（2）和顶电极（4）为金属材料；阻变存储层（3）为掺杂铁酸铋薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器，其特征在于所述的底电极（2）和顶电极（4）的金属材料可以是金属：Au、Pt、Ag、Cu、Al、Ti，厚度为100nm到200nm。

3.根据权利要求2所述的一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器，其特征在于所述的阻变存储层（3）的掺杂铁酸铋薄膜是A位单掺杂，所述A位掺杂元素为稀土金属元素和碱土金属元素。

4.根据权利要求3所述的一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器，其特征在于所述的稀土金属元素可以是：La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er；所述的碱土金属元素可以是：Mg、Ca、Sr、Ba。

5.根据权利要求2所述的一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器，其特征在于所述的变存储层（3）的掺杂铁酸铋薄膜是A位与B位共掺杂，B位掺杂元素可以是3d过渡金属元素。

6.根据权利要求5所述的一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器，其特征在于所述的3d过渡金属元素可以是：V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu，厚度为200nm到500nm。

7.根据权利要求1所述的一种基于掺杂铁酸铋的阻变存储器的其制备方法，其特征在于：

a.用固相反应法制备掺杂的铁酸铋，烘干、预烧结、造粒、压片后再高温烧结得到陶瓷靶材；

b.选择合适衬底（1），利用磁控溅射的方法制备金属底电极（2），氩气为工作气体；

c.在制备好的底电极（2）上利用磁控溅射的方法沉积掺杂铁酸铋薄膜作为阻变存储层（3），氩气和氧气为工作气体，氧气与氩气的比例为1/10；

d.最后在利用磁控溅射的方法制备金属顶电极（4），氩气为工作气体。