[发明专利]二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201410314806.8 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105304486B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二极管的制造方法，包括：在外延层中形成N型区；在所述外延层和N型区的表面形成氧化层；对所述氧化层进行刻蚀，以将所述外延层中待形成沟槽部分和待形成P型区部分表面的氧化层去除；对所述待形成沟槽部分进行刻蚀，以形成沟槽；在所述待形成P型区部分形成P型区；在形成有所述N型区和所述P型区的外延层上形成介质层和金属层，以形成所述二极管。本发明提供的二极管的制造方法，能够提高二极管的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二极管的制造方法，其特征在于，包括：在外延层中形成N型区；在所述外延层和N型区的表面形成氧化层；对所述氧化层进行刻蚀，以将所述外延层中待形成沟槽部分和待形成P型区部分表面的氧化层去除；对所述待形成沟槽部分进行刻蚀，以形成沟槽；在所述待形成P型区部分形成P型区；其中，所述P型区位于所述沟槽内壁的外围；在形成有所述N型区和所述P型区的外延层上形成介质层和金属层，以形成所述二极管；其中，在所述待形成沟槽部分进行刻蚀，以形成沟槽之前，所述方法还包括：在所述待形成P型区部分的表面形成氮化硅墙；其中，在所述待形成P型区部分的表面形成氮化硅墙，包括：在所述待形成P型区部分以及待形成沟槽部分的表面形成氮化硅层；对所述氮化硅层进行刻蚀，去除所述待形成沟槽部分表面的氮化硅层，以在所述待形成P型区部分的表面形成氮化硅墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
