[发明专利]二极管的制造方法

说明书

本发明提供一种二极管的制造方法，包括：在外延层中形成N型区；在所述外延层和N型区的表面形成氧化层；对所述氧化层进行刻蚀，以将所述外延层中待形成沟槽部分和待形成P型区部分表面的氧化层去除；对所述待形成沟槽部分进行刻蚀，以形成沟槽；在所述待形成P型区部分形成P型区；在形成有所述N型区和所述P型区的外延层上形成介质层和金属层，以形成所述二极管。本发明提供的二极管的制造方法，能够提高二极管的成品率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，尤其涉及一种二极管的制造方法。

背景技术

在电子电路中，二极管是最常用的电子元器件之一，以其单向导通的特性在电路中常用作整流器件。且在电力电子电路中，二极管反向并联在功率开关器件的两端，配合功率开关器件实现对电压信号进行调整。无论在电子电路还是电力电子电路中，二极管的作用都是不容忽视的，二极管的质量好坏都会影响电路的整体运行效果。

现有的二极管的制造过程通常为：首先在外延层上刻蚀形成沟槽，然后在外延层和沟槽的表面均涂覆正性光刻胶，采用曝光显影的方式将待形成P型区的部分表面的光刻胶去除，之后依次形成P型区和N型区，最后淀积形成介质层和金属层，从而形成二极管。由于沟槽具有一定的深度，在对待形成P型区表面的光刻胶进行曝光的过程中，曝光量较难调整至合适的强度以去除其表面的光刻胶，即经常会出现曝光量不足或者过大等问题。具体的，若曝光量不足，则会导致沟槽底部的光刻胶由于光强度不够不易发生变性，进而不易在显影的过程中被去除掉；若曝光量过大，则会使得除待形成P型区表面之外的其余部分的光刻胶也发生变性，进而在显影过程中被去除掉。上述两种情况都会对形成P型区的过程产生影响，进而影响了二极管的质量。因此，现有的制造方法较难获得质量较高的二极管，成品率较差。

发明内容

本发明提供一种二极管的制造方法，用于提高二极管的成品率。

本发明实施例提供一种二极管的制造方法，包括：

在外延层中形成N型区；

在所述外延层和N型区的表面形成氧化层；

对所述氧化层进行刻蚀，以将所述外延层中待形成沟槽部分和待形成P型区部分表面的氧化层去除；

对所述待形成沟槽部分进行刻蚀，以形成沟槽；

在所述待形成P型区部分形成P型区；

在形成有所述N型区和所述P型区的外延层上形成介质层和金属层，以形成所述二极管。

如上所述的二极管的制造方法，在所述待形成沟槽部分进行刻蚀，以形成沟槽之前，所述方法还包括：

在所述待形成P型区部分的表面形成氮化硅墙。

如上所述的二极管的制造方法，在所述待形成P型区部分的表面形成氮化硅墙，包括：

在所述待形成P型区部分以及待形成沟槽部分的表面形成氮化硅层；

对所述氮化硅层进行刻蚀，去除所述待形成沟槽部分表面的氮化硅层，以在所述待形成P型区部分的表面形成氮化硅墙。

如上所述的二极管的制造方法，在外延层中形成N型区，包括：

在所述外延层的表面涂覆胶体，以形成胶层；

去除待形成N型区部分表面的胶体；

对所述待形成N型区部分注入N型离子，以形成N型区。

如上所述的二极管的制造方法，在所述待形成P型区部分形成P型区，包括：

在所述待形成P型区部分注入P型离子；

对所述P型离子进行驱入，以形成P型区。