[发明专利]一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410310520.2 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104037234A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 廖蕾;许磊;刘兴强;刘传胜 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管是以氢等离子体钝化处理的掺杂钛或镁的氧化锌基半导体材料为沟道层。其制法为以生长有二氧化硅的重掺杂P型硅片为基底，对Ti或Mg与氧化锌的复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过第一次掩膜沉积在基底上形成小块的掺杂Ti或Mg的氧化锌薄膜层；原位氢等离子体处理；在原位氢等离子体处理的氧化锌基薄膜层上采用直流溅射，第二次掩膜沉积制备Al电极，即得氢钝化氧化锌基薄膜晶体管。其优点是：本发明提供的氢钝化氧化锌基薄膜晶体管具有电子迁移率较高、电学稳定性好，开关比高等优点；制备方法的工艺简单，成本低，可通过氢钝化时间和掺杂物的含量来调节器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 氧化锌 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于：以氢等离子体钝化处理的掺杂钛或镁的氧化锌基半导体材料为沟道层。
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