[发明专利]一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410310520.2 | 申请日： | 2014-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104037234A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 廖蕾;许磊;刘兴强;刘传胜 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 氧化锌 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于：以氢等离子体钝化处理的掺杂钛或镁的氧化锌基半导体材料为沟道层。
2.根据权利要求1所述一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管，其特征在于：所述Ti或Mg的掺杂量为0.5at%-5at%。
3.一种制备权利要求1或2所述氢钝化氧化锌基薄膜晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）以生长有二氧化硅的重掺杂P型硅片为基底，对Ti或Mg与氧化锌的复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过第一次掩膜沉积在基底上形成小块的掺杂Ti或Mg的氧化锌薄膜层；
（2）对步骤（1）制备的掺杂Ti或Mg的氧化锌薄膜层进行原位氢等离子体处理；
（3）在步骤（2）原位氢等离子体处理的氧化锌基薄膜层上采用直流溅射，第二次掩膜沉积制备Al电极，即得氢钝化氧化锌基薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中二氧化硅的厚度为90～110纳米。
5.根据权利要求3所述一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管德尔制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中射频磁控溅射的条件为：溅射载气氩气，溅射气压为0.55～0.65帕，溅射功率50～70瓦，基底温度为140～160℃。
6.根据权利要求3或4所述一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中Ti或Mg的掺杂量为0.5at%-5at%。
7.根据权利要求3或4所述一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中掺杂Ti或Mg的氧化锌薄膜层的厚度为10-20纳米。
8.根据权利要求3所述一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中原位氢等离子体处理所用气体为氢气与氩气的混合气体，氢气的体积百分数为10%～20%。
9.根据权利要求3或8所述一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：原位氢等离子体处理的时间为30-60秒。
10.根据权利要求3或4所述一种氢钝化氧化锌基薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中直流溅射的功率为15-25瓦。
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