[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201410307663.8 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105336774B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/24 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了垂直双扩散场效应晶体管制作方法和垂直双扩散场效应晶体管，垂直双扩散场效应晶体管制作方法，包括：在衬底上依次氧化硅层和淀积多晶硅层之后，通过光刻及刻蚀在多晶硅层上形成接触孔；向衬底注入离子，形成P型体区；通过第一掩膜在P型体区上的第一预设区域形成第一光刻胶掩膜，在P型体区注入N型掺杂元素，形成第一源区；通过第二掩膜在P型体区上的第二预设区域形成第二光刻胶掩膜，在P型体区注入N型掺杂元素，形成第二源区，其中，第一源区和第二源区不相交。通过本发明的技术方案，在常规工艺中增加一次源区注入工艺，能够显著降低功率器件的反向恢复电流，提高功率器件工作效率，同时对功率器件的其他性能不会产生影响。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，包括：在衬底上依次氧化硅层和淀积多晶硅层之后，通过光刻及刻蚀在所述多晶硅层上形成接触孔；向所述衬底注入离子，形成P型体区；通过第一掩膜在所述P型体区上的第一预设区域形成第一光刻胶掩膜，在所述P型体区注入N型掺杂元素，形成第一源区；通过第二掩膜在所述P型体区上的第二预设区域形成第二光刻胶掩膜，在所述P型体区注入所述N型掺杂元素，形成第二源区，其中，所述第一源区和所述第二源区不相交；所述第二源区的N型掺杂元素注入剂量大于所述第一源区的N型掺杂元素注入剂量，且所述第二源区的N型掺杂元素注入能量大于所述第一源区的N型掺杂元素注入能量。
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