[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次氧化硅层和淀积多晶硅层之后，通过光刻及刻蚀在所述多晶硅层上形成接触孔；

向所述衬底注入离子，形成P型体区；

通过第一掩膜在所述P型体区上的第一预设区域形成第一光刻胶掩膜，在所述P型体区注入N型掺杂元素，形成第一源区；

通过第二掩膜在所述P型体区上的第二预设区域形成第二光刻胶掩膜，在所述P型体区注入所述N型掺杂元素，形成第二源区，其中，所述第一源区和所述第二源区不相交；

所述第二源区的N型掺杂元素注入剂量大于所述第一源区的N型掺杂元素注入剂量，且所述第二源区的N型掺杂元素注入能量大于所述第一源区的N型掺杂元素注入能量。

2.根据权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述第二源区包括两块独立的区域，且所述两块独立的区域位于所述第一源区的两侧。

3.根据权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述刻蚀为湿法刻蚀和/或干法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述离子是单一离子或复合离子，其中，所述离子包括以下至少之一或其组合：氢、氦、硼、铝。

5.根据权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述氧化硅层和所述多晶硅层的厚度均为0.01μm至10μm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，在形成所述第二源区之后，还包括：

在所述衬底表面淀积介质层，刻蚀所述介质层形成沟槽；

在所述衬底表面淀积金属层，以连接所述第一源区和所述第二源区。

7.根据权利要求6所述的垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述沟槽的深度为0.1μm至10μm。

8.根据权利要求6所述的垂直双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述在所述衬底表面淀积介质层之前，还包括：

刻蚀所述P型体区表面的光刻胶，向所述P型体区注入离子。

9.一种垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述垂直双扩散场效应晶体管采用如权利要求1至8中任一项所述的垂直双扩散场效应晶体管制作方法制作而成。