[发明专利]晶圆的清洗方法在审
| 申请号： | 201410307467.0 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105206505A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 肖启明;江博渊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶圆的清洗方法，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆具有第一表面，所述第一表面具有多个芯片；提供覆盖晶圆，所述覆盖晶圆具有第二表面，所述第二表面具有与所述器件晶圆中的芯片一一对应的多个凹槽；将所述覆盖晶圆与所述器件晶圆键合，使所述覆盖晶圆的凹槽与所述器件晶圆的芯片对应键合，且形成多个空腔结构；对键合后的所述覆盖晶圆进行切割，使各空腔结构分立；在进行所述切割工艺之后，将所述第一表面朝下设置；对所述空腔结构外表面和朝下设置的所述第一表面进行清洗。所述晶圆的清洗方法能够使得清洗后的晶圆更加干净，提高晶圆上芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆的清洗方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆具有第一表面，所述第一表面具有多个芯片；提供覆盖晶圆，所述覆盖晶圆具有第二表面，所述第二表面具有与所述器件晶圆中的芯片一一对应的多个凹槽；将所述覆盖晶圆与所述器件晶圆键合，使所述覆盖晶圆的凹槽与所述器件晶圆的芯片对应键合，且形成多个空腔结构；对键合后的所述覆盖晶圆进行切割，使各空腔结构分立；在进行所述切割工艺之后，将所述第一表面朝下设置；对所述空腔结构外表面和朝下设置的所述第一表面进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
