[发明专利]晶圆的清洗方法

权利要求书

1.一种晶圆的清洗方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆具有第一表面，所述第一表面具有多个芯片；

提供覆盖晶圆，所述覆盖晶圆具有第二表面，所述第二表面具有与所述器件晶圆中的芯片一一对应的多个凹槽；

将所述覆盖晶圆与所述器件晶圆键合，使所述覆盖晶圆的凹槽与所述器件晶圆的芯片对应键合，且形成多个空腔结构；

对键合后的所述覆盖晶圆进行切割，使各空腔结构分立；

在进行所述切割工艺之后，将所述第一表面朝下设置；

对所述空腔结构外表面和朝下设置的所述第一表面进行清洗。

2.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述清洗包括：采用稀氢氟酸对所述第一表面和所述空腔结构外表面进行冲洗。

3.如权利要求2所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述冲洗过程中，所述稀氢氟酸中氟化氢与水的体积比浓度为0.1％～5.0％，所述稀氢氟酸的清洗时间为5s～25s。

4.如权利要求2所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述冲洗过程中，所述器件晶圆绕垂直所述第一表面且过所述第一表面圆心的直线旋转，旋转速度为50rmp～500rmp。

5.如权利要求2所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，在所述冲洗过程中，所述稀氢氟酸的冲压压强为2psi～5psi。

6.如权利要求2所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，在采用稀氢氟酸对所述第一表面和所述空腔结构的外表面进行清洗之前，所述清洗还包括：采用去离子水对所述第一表面和所述空腔结构的外表面进行预清洗。

7.如权利要求2所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，在采用稀氢氟酸对所述第一表面和所述空腔结构的外表面进行清洗之后，所述清洗还包括：对所述第一表面和所述空腔结构的外表面进行吹干处理。

8.如权利要求7所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述吹干处理采用的气体为氮气，所述吹干处理采用的温度范围为20℃～60℃，所述吹干处理采用的时间范围为30s～300s。

9.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，将所述第一表面朝下设置时，所述第一表面与水平面的夹角为0°～30°。

10.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述器件晶圆为MEMS晶圆，所述第一表面具有MEMS振荡器，所述MEMS振荡器位于所述空腔结构内侧。

11.如权利要求1所述的晶圆的清洗方法，其特征在于，所述第一表面具有焊盘，当形成所述空腔结构后，所述焊盘位于所述空腔结构的外侧。