[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号: | 201410302503.4 | 申请日: | 2014-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN104253023B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
| 发明(设计)人: | 李奉文 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,舒艳君 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供基板处理装置。基板处理装置包括第一腔室,用第一处理液对基板进行处理,以及第二腔室,配置于上述第一腔室的后方,用第二处理液对上述基板进行处理;上述第一腔室具有第一外壳,第一输送单元,沿着第一方向输送上述基板,以及第一喷嘴单元,长度方向与上述第一方向相一致,并具有向上述基板供给上述第一处理液的第一喷嘴;上述第二腔室具有第二外壳,第二输送单元,沿着第一方向输送上述基板,以及第二喷嘴单元,长度方向与上述第一方向相一致,并具有向上述基板供给上述第二处理液的第二喷嘴;上述第一喷嘴和上述第二喷嘴配置成相互间脱离一直线。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,包括:第一腔室,其用第一处理液对基板进行处理;第二腔室,其配置于上述第一腔室的后方,用第二处理液对上述基板进行处理;上述第一腔室具有:第一外壳,第一输送单元,其沿着第一方向输送上述基板,以及第一喷嘴单元,其长度方向与上述第一方向相一致,并具有向上述基板供给上述第一处理液的第一喷嘴;上述第二腔室具有:第二外壳,第二输送单元,其沿着上述第一方向输送上述基板,以及第二喷嘴单元,其长度方向与上述第一方向相一致,并具有向上述基板供给上述第二处理液的第二喷嘴;上述第一喷嘴和上述第二喷嘴被配置成相互间脱离一直线;上述基板处理装置还包括位于上述第二腔室的后方的洗涤腔室,该洗涤腔室具有:第三外壳;第三输送单元,其沿着上述第一方向输送上述基板;供液喷嘴,其向上述基板的上部供给洗涤液;正向刀,其以与流入口相邻的方式配置于上述第三外壳的内部,具有以随着远离上述第二外壳而向下倾斜的方式设置的排出口,并向上述基板喷射上述洗涤液;以及反向刀,其相比正向刀配置于下游,具有以随着接近上述流入口而向下倾斜的方式设置的排出口,且向上述基板喷射上述洗涤液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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