[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号: | 201410302503.4 | 申请日: | 2014-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN104253023B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
| 发明(设计)人: | 李奉文 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,舒艳君 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及用于处理基板的基板处理装置。
背景技术
在基板的表面残留的颗粒(Particle)、有机污染物及金属污染物等污染物质大大影响半导体元件的特性和生产率。因此,在半导体制造工序中,去除附着于基板表面的各种污染物质的清洗工序很重要,在制造半导体的各单位工序的前后步骤中,实施对基板进行清洗处理的工序。通常,基板的清洗包括:化学品处理工序,利用化学品去除残留在基板上的金属异物、有机物质或颗粒等;洗涤工序,利用纯水去除残留在基板上的化学品;以及干燥工序,利用氮气等来干燥基板。
图1示出执行通常的化学品处理工序的基板处理装置的一例。参照图1,在相邻的腔室内,用于供给化学品的喷嘴沿着基板移送方向整列配置。因此,在基板的区域中,对应于喷嘴的区域和其他区域间的清洗均匀度不同。
发明内容
本发明的一目的在于,提供能提高基板的清洗效率的基板处理装置。
并且,本发明的一目的在于,提供在进行洗涤工序时,能够对基板有效地传递喷嘴的击打力的基板处理装置。
本发明的技术问题不局限于上述问题,本发明所属领域的普通技术人员可根据本说明书及附图明确理解到没有提及的其他问题。
本发明提供基板处理装置。根据本发明一实施例的基板处理装置包括:第一腔室,其用第一处理液对基板进行处理,以及第二腔室,其配置于上述第一腔室的后方,用第二处理液对上述基板进行处理;上述第一腔室具有:第一外壳,第一输送单元,其沿着第一方向输送上述基板,以及第一喷嘴单元,其长度方向与上述第一方向相一致,并具有向上述基板供给上述第一处理液的第一喷嘴;上述第二腔室具有:第二外壳,第二输送单元,其沿着第一方向输送上述基板,以及第二喷嘴单元,其长度方向与上述第一方向相一致,并具有向上述基板供给上述第二处理液的第二喷嘴;上述第一喷嘴和上述第二喷嘴被配置成相互间脱离一直线。
上述第一喷嘴和上述第二喷嘴分别设有多个;上述第一喷嘴在从上部观察时沿着垂直于上述第一方向的第二方向排列;上述第二喷嘴在从上部观察时沿着上述第二方向排列。
多个上述第一喷嘴和多个上述第二喷嘴分别以相互分离规定间距的方式设置。
上述第一处理液和上述第二处理液可相同。
上述第一处理液可为化学品。
上述基板处理装置还可包括位于上述第二腔室的后方的洗涤腔室,该洗涤腔室具有:第三外壳,第三输送单元,其沿着上述第一方向输送上述基板,以及供液喷嘴,其向上述基板的上部供给洗涤液。
上述供液喷嘴可具有以随着接近上述第二腔室而向下倾斜的方式设置的排出口。
上述供液喷嘴的长度方向可与上述第一方向相一致。
上述供液喷嘴可设有多个。
上述供液喷嘴能够以喷射(spray)方式喷射上述洗涤液。
上述洗涤腔室还可包括:正向刀,其以与流入口相邻的方式配置于上述第三外壳的内部,具有以随着远离上述第二外壳的方向而向下倾斜的方式设置的排出口,并向上述基板喷射上述洗涤液;以及反向刀,其相比正向刀配置于下游,具有以随着接近上述流入口而向下倾斜的方式设置的排出口,且向上述基板喷射上述洗涤液。
上述反向刀能够以与上述正向刀相邻的方式配置于上述正向刀的后方。
上述正向刀和上述反向刀的长度方向可分别与第二方向相一致,该第二方向垂直于上述第一方向。
上述正向刀和上述反向刀可在上述第三外壳的内部设于比上述供液喷嘴靠上游。
上述正向刀和上述反向刀可分别具有缝隙形状的排出口。
上述外壳还可包括:隔壁,其在上述反向刀和上述供液喷嘴之间从上述外壳的下面垂直地延伸,将上述外壳的内部的比上述输送单元靠下部的区域划分为第一区域和第二区域,第一排出管,其与上述第一区域相连接,以及第二排出管,其与上述第二区域相连接;上述第一区域是与上述正向刀和上述反向刀相对应的区域,上述第二区域是与上述供液喷嘴相对应的区域。
上述基板处理装置还包括:液罐,其储存上述液体,第一供给线,其连接上述液罐和上述正向刀,第二供给线,其连接上述液罐和上述反向刀,以及第三供给线,其连接上述液罐和上述供液喷嘴;上述第二排出管连接上述第二区域和上述液罐,回收上述第二区域内部的上述液并重新使用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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