[发明专利]光电转换装置和成像系统

摘要

本发明涉及光电转换装置和成像系统。一种光电转换装置包括构造第一光电转换元件的第一导电类型的第一半导体区；构造第二光电转换元件的第一导电类型的第二半导体区；第一导电类型的第三半导体区；第一导电类型的第四半导体区；协同构造第一传输晶体管的第一栅电极；以及构造第二传输晶体管的第二栅电极。在半导体基底表面的平面图中在第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的位置处，第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比有源区的长度短，并且第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比第一半导体区的长度长。

主权项

一种光电转换装置，包括：其上设置有如下的半导体基底：有源区，以及由绝缘体形成的、限定所述有源区的隔离部分；位于所述有源区内并构成第一光电转换元件的第一导电类型的第一半导体区；位于所述有源区内并构成第二光电转换元件的第一导电类型的第二半导体区；位于所述有源区内的第一导电类型的第三半导体区；位于所述有源区内的第一导电类型的第四半导体区；位于所述有源区内的所述第一半导体区和所述第三半导体区之间的第一栅电极，连同所述第一半导体区和所述第三半导体区构造第一传输晶体管；以及位于所述有源区内的所述第二半导体区和所述第四半导体区之间的第二栅电极，连同所述第二半导体区和所述第四半导体区构造第二传输晶体管；其中，在所述半导体基底表面的平面图中，在所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的位置处，位于所述有源区内的所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的长度比所述有源区沿着所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的长度短，以及位于所述有源区内的所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的长度比所述第一半导体区沿着所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的长度长。