[发明专利]光电转换装置和成像系统

权利要求书

1.一种光电转换装置，包括：

其上设置有如下的半导体基底：

有源区，以及

由绝缘体形成的、限定所述有源区的隔离部分；

位于所述有源区内并构成第一光电转换元件的第一导电类型的第一半导体区；

位于所述有源区内并构成第二光电转换元件的第一导电类型的第二半导体区；

位于所述有源区内的第一导电类型的第三半导体区；

位于所述有源区内的第一导电类型的第四半导体区；

位于所述有源区内的所述第一半导体区和所述第三半导体区之间的第一栅电极，连同所述第一半导体区和所述第三半导体区构造第一传输晶体管；以及

位于所述有源区内的所述第二半导体区和所述第四半导体区之间的第二栅电极，连同所述第二半导体区和所述第四半导体区构造第二传输晶体管；

其中，在所述半导体基底表面的平面图中，在所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的位置处

位于所述有源区内的所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的长度比所述有源区沿着所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的长度短，以及

位于所述有源区内的所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的长度比所述第一半导体区沿着所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边的长度长。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中，在所述半导体基底表面的平面图中，在所述第二栅电极朝向所述第二半导体区的侧边的位置处，

位于所述有源区内的所述第二栅电极朝向所述第二半导体区的侧边的长度比所述有源区沿着所述第二栅电极朝向所述第二半导体区的侧边的宽度短，以及

位于所述有源区内的所述第二栅电极朝向所述第二半导体区的侧边的长度比所述第二半导体区沿着所述第二栅电极朝向所述第二半导体区的侧边的长度长。

3.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中在所述第一半导体区和所述第三半导体区之间设置第二导电类型的半导体区。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置，还包括：

设置在所述第一半导体区上的所述第二导电类型的第八半导体区；以及

设置在所述第二半导体区上的所述第二导电类型的第九半导体区；

其中所述第八半导体区和所述第九半导体区接触，并在平面图中在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间延伸。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述隔离部分包括

包括位于所述有源区的所述第三半导体区和所述第四半导体区之间的部分的第一区域，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极位于所述隔离部分上，以及

除所述第一区域之外的第二区域；

其中所述第一区域内的所述第二导电类型的掺杂浓度比所述第二区域内的所述第二导电类型的掺杂浓度低。

6.根据权利要求5所述的光电转换装置，

其中所述第一区域包括其中所述第一栅电极和所述第二栅电极位于所述隔离部分上的部分。

7.根据权利要求5所述的光电转换装置，还包括：

所述第二导电类型的第五半导体区，被设置为覆盖所述隔离部分的边缘部分；

其中所述第五半导体区被设置在所述第二区域内，而没有被设置在所述第一区域内。

8.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述隔离部分位于所述第三半导体区和所述第四半导体区之间；

并且其中所述隔离部分的所述边缘部分位于所述第一栅电极朝向所述第一半导体区的侧边和所述第一栅电极朝向所述第三半导体区的侧边之间。

9.根据权利要求1所述的光电转换装置，

其中给所述第一光电转换元件和所述第二光电转换元件设置一个微型透镜。