[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

一种半导体器件的制作方法，在同一半导体衬底上形成均具有金属栅的第一导电类型的晶体管与第二导电类型的晶体管过程中，先去除第一导电类型晶体管的伪栅极层并填入金属栅极层，对该金属栅极层使用光刻胶覆盖，第二导电类型晶体管的伪栅极层被图案化光刻胶暴露，施以干法刻蚀以实现去除，在去除光刻胶残留物后，清洗半导体衬底，该清洗溶液中溶有臭氧。臭氧能对暴露的第一导电类型晶体管的金属栅极层表面进行氧化，生成一层致密氧化膜，该致密氧化膜一方面由于较薄，不会影响金属栅极层的电连接性，另一方面氧化膜由于比较致密，因而不会因为溶液的引入，与金属栅极层中的金属离子发生原电池反应，避免了该金属栅极层的腐蚀，提高了其电连接性能。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一导电类型的晶体管以及具有伪栅极层的第二导电类型的晶体管，所述第二导电类型与第一导电类型相反，所述第一导电类型晶体管的栅极层至少包括金属栅极层，所述伪栅极层的材质为多晶硅；在所述半导体衬底上形成暴露所述第二导电类型晶体管伪栅极层的图案化光刻胶，以所述图案化光刻胶为掩膜刻蚀去除相应第二导电类型晶体管的伪栅极层；去除光刻胶残留物，并清洗所述半导体衬底，所述清洗采用的溶液里具有臭氧；在去除伪栅极层所形成的沟槽内形成相应第二导电类型晶体管的栅极层。