[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410301168.6 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105336690B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 梁海慧;刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属栅极层 晶体管 第一导电类型 去除 半导体器件 致密氧化膜 伪栅极层 衬底 臭氧 半导体 导电类型晶体管 致密 光刻胶残留物 图案化光刻胶 电连接性能 原电池反应 导电类型 电连接性 干法刻蚀 金属离子 清洗溶液 影响金属 光刻胶 金属栅 氧化膜 栅极层 暴露 填入 制作 清洗 腐蚀 引入 覆盖 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一导电类型的晶体管以及具有伪栅极层的第二导电类型的晶体管，所述第二导电类型与第一导电类型相反，所述第一导电类型晶体管的栅极层至少包括金属栅极层，所述伪栅极层的材质为多晶硅；
在所述半导体衬底上形成暴露所述第二导电类型晶体管伪栅极层的图案化光刻胶，以所述图案化光刻胶为掩膜刻蚀去除相应第二导电类型晶体管的伪栅极层；
去除光刻胶残留物，并清洗所述半导体衬底，所述清洗采用的溶液里具有臭氧；
在去除伪栅极层所形成的沟槽内形成相应第二导电类型晶体管的栅极层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二导电类型的晶体管为NMOS晶体管，所述第一导电类型的晶体管为PMOS晶体管，或所述第二导电类型的晶体管为PMOS晶体管，所述第一导电类型的晶体管为NMOS晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，去除所述光刻胶残留物采用NMP溶液。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述溶液为去离子水或双氧水。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述臭氧在溶液中的浓度范围为1ppm-100ppm。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在采用具有臭氧的溶液清洗所述半导体衬底后，采用去离子水清洗所述半导体衬底。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型晶体管的栅极层还包括功函数层。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在去除伪栅极层所形成的沟槽内形成相应第二导电类型晶体管的栅极层包括：在所述沟槽内形成金属栅极层。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在去除伪栅极层所形成的沟槽内形成相应第二导电类型晶体管的栅极层包括：依次在所述沟槽内形成功函数层及金属栅极层。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型晶体管为NMOS晶体管，其金属栅极层材质为铝钛；所述第二导电类型晶体管为PMOS晶体管，所述沟槽内形成的金属栅极层的材质为氮化钛。
11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型晶体管为PMOS晶体管，其金属栅极层材质为氮化钛；所述第二导电类型晶体管为NMOS晶体管，所述沟槽内形成的金属栅极层的材质为铝钛。
12.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型晶体管为NMOS晶体管，其栅极层还包括功函数层，所述功函数层的材质为铝钛，金属栅极层材质为铝；所述第二导电类型晶体管为PMOS晶体管，所述沟槽内形成的功函数层的材质为氮化钛，金属栅极层材质为铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
