[发明专利]沟槽型功率器件制作方法和沟槽型功率器件

摘要

本发明提供了沟槽型功率器件制作方法和沟槽型功率器件，其中，沟槽型功率器件制作方法，包括：在衬底表面注入P型离子形成P型区域之后，在衬底表面淀积氧化硅层，通过光刻及刻蚀在P型区域形成接触孔；在形成有接触孔的衬底表面淀积第一氮化硅层；刻蚀第一氮化硅层，在接触孔的侧壁上形成侧墙；向P型区域注入N型掺杂元素，在接触孔底部形成N型区域；在形成有N型区域的衬底表面淀积第二氮化硅层；刻蚀第二氮化硅层，在接触孔底部形成沟槽。通过本发明的技术方案，减小了沟槽的宽度，消除了光刻工艺精度对沟槽宽度的限制，降低了功率器件制造成本，同时降低了功率器件的导通电阻，提高了功率器件的性能。

主权项

1.一种沟槽型功率器件制作方法，其特征在于，包括：在衬底表面注入P型离子形成P型区域之后，在所述衬底表面淀积氧化硅层，通过光刻及刻蚀在所述P型区域形成接触孔；在形成有所述接触孔的衬底表面淀积第一氮化硅层；刻蚀所述第一氮化硅层，在所述接触孔的侧壁上形成侧墙；向所述P型区域注入N型掺杂元素，在所述接触孔底部形成N型区域；在形成有所述N型区域的衬底表面淀积第二氮化硅层；刻蚀所述第二氮化硅层，在所述接触孔底部形成沟槽；所述在所述接触孔底部形成沟槽之后，还包括：通过对所述衬底进行热氧化处理，在所述沟槽的内表面形成第一氧化层；在形成有所述第一氧化层的衬底表面淀积多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层以及所述接触孔侧壁上的氮化硅，以使所述沟槽中保留的多晶硅的顶部位于所述N型区域中，通过所述衬底进行所述热氧化处理，在所述沟槽中的多晶硅顶部形成第二氧化层；在所述衬底表面淀积金属层，通过退火处理在所述接触孔的侧壁以及所述接触孔底部除所述第二氧化层部分外的区域形成金属硅化物；对所述衬底进行金属加厚、钝化、刻蚀。