[发明专利]取向BMN薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201410298883.9 申请日: 2014-06-26
公开(公告)号: CN104073790A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 李玲霞;董和磊;于仕辉;金雨馨;许丹 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C23C20/08 分类号: C23C20/08;C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种取向BMN薄膜的制备方法,利用衬底与薄膜之间热膨胀系数的影响,采用改进的Sol-Gel工艺,控制薄膜取向生长;首先配制铌的柠檬酸水溶液,其中五氧化二铌与柠檬酸的摩尔比为1:3~1:6;再按Bi1.5MgNb1.5O7的化学计量比称取五水硝酸铋,碳酸镁,加入铌的柠檬酸水溶液中,加热搅拌,加入甲醇稀释,得到铌酸铋镁前驱体溶胶,再将前驱体溶胶均匀地涂覆在SiO2/Si基片上,于500℃热处理;重复旋涂-热处理过程,再于750℃后退火,制得(222)取向BMN即Bi1.5MgNb1.5O7薄膜。本发明提供了一种高调谐率的铋基调谐新材料。
搜索关键词: 取向 bmn 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种取向BMN薄膜的制备方法,具有如下步骤:(1)清洗基片采用去离子水超声清洗10min,丙酮超声清洗10min,酒精超声清洗10min,再用去离子水超声清洗10min的工艺过程对SiO2/Si基片进行清洗,清洗结束后迅速将基片吹干;(2)制备铌酸铋镁前驱体溶胶①配制铌的柠檬酸水溶液(a)将五氧化二铌粉体加入氢氟酸中,水浴加热至其全部溶解,其中Nb2O5与HF的摩尔比为1:10;(b)向步骤(a)溶液中加入氨水,中和生成铌酸沉淀;(c)抽滤洗涤步骤(b)所得铌酸沉淀,去除F‑与NH4+;(d)将步骤(c)所得铌酸沉淀加入柠檬酸水溶液中,磁力搅拌使柠檬酸完全溶解;得到铌‑柠檬酸水溶液,其中五氧化二铌与柠檬酸的摩尔比为1:3~1:6;(e)将步骤(d)所得铌‑柠檬酸水溶液经60℃磁力搅拌加热至水分挥发完全,得到稳定的铌‑柠檬酸溶液;②按Bi1.5MgNb1.5O7的化学计量比称取五水硝酸铋,碳酸镁,加入步骤(2)①铌的柠檬酸水溶液中,加热搅拌得到铌酸铋镁前驱体溶胶;再向铌酸铋镁前驱体溶胶中加入甲醇做稀释剂,甲醇的加入量为1倍体积铌酸铋镁前驱体溶胶,加热搅拌得到所需要的铌酸铋镁前驱体溶胶;(3)将步骤(2)②配置的铌酸铋镁前驱体溶胶滴在SiO2/Si基片上,用台式匀胶机匀胶,使溶胶均匀地涂覆在SiO2/Si基片上,然后于500℃热处理,去除有机物;重复旋涂‑热处理过程,制备多层薄膜,直至薄膜达到所需的厚度;(4)将步骤(3)热处理后的薄膜于750℃进行后退火,得到取向Bi1.5MgNb1.5O7即BMN薄膜。
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