[发明专利]定义多晶硅生长方向的方法

摘要

本发明提供一种定义多晶硅生长方向的方法，包括步骤1、提供一玻璃基板(1)；步骤2、在玻璃基板(1)上形成一缓冲层(3)；步骤3、在缓冲层(3)上形成一金属膜层(5)；步骤4、对金属膜层(5)进行蚀刻，形成金属膜阵列(51)；步骤5、在缓冲层(3)上覆盖一层高纯度的石英掩膜(7)；步骤6、在高纯度石英掩膜(7)与金属膜阵列(51)上形成一石墨烯层(9)；步骤7、对石墨烯层(9)进行蚀刻，形成石墨烯层阵列(91)；步骤8、在缓冲层(3)上生长非晶硅薄膜(2)；步骤9、对非晶硅薄膜(2)进行高温去氢处理；步骤10、对非晶硅薄膜(2)进行ELA准分子激光退火处理；步骤11、熔化后的非晶硅进行重结晶。

主权项

一种定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一玻璃基板(1)，并将该玻璃基板(1)清洗干净；步骤2、在玻璃基板(1)上形成一缓冲层(3)；步骤3、在缓冲层(3)上形成一金属膜层(5)；步骤4、使用酸性液体对金属膜层(5)进行蚀刻，形成金属膜阵列(51)；步骤5、在缓冲层(3)上除金属膜阵列(51)以外的区域覆盖一层高纯度的石英掩膜(7)，露出金属膜阵列(51)；步骤6、在高纯度石英掩膜(7)与金属膜阵列(51)上形成一完全覆盖所述石英掩膜(7)和金属膜阵列(51)的石墨烯层(9)；步骤7、对石墨烯层(9)进行蚀刻，同时蚀刻掉覆盖在所述缓冲层(3)上的石英掩膜(7)，形成与步骤4中金属膜阵列(51)重合的石墨烯层阵列(91)；步骤8、在具有有金属膜阵列(51)和石墨烯层阵列(91)的缓冲层(3)上生长非晶硅薄膜(2)；步骤9、对非晶硅薄膜(2)进行高温去氢处理；步骤10、对非晶硅薄膜(2)进行ELA准分子激光退火处理，非晶硅薄膜(2)吸收激光的能量后温度升高直至熔融状态；步骤11、熔化后的非晶硅进行重结晶，以金属膜阵列(51)与石墨烯层阵列(91)构成的低温区为起点向四周高温区域生长变大形成多晶硅；所述金属膜阵列(51)与石墨烯层阵列(91)的位置设置在沟道附近。