[发明专利]定义多晶硅生长方向的方法

权利要求书

1.一种定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、提供一玻璃基板(1)，并将该玻璃基板(1)清洗干净；

步骤2、在玻璃基板(1)上形成一缓冲层(3)；

步骤3、在缓冲层(3)上形成一金属膜层(5)；

步骤4、使用酸性液体对金属膜层(5)进行蚀刻，形成金属膜阵列(51)；

步骤5、在缓冲层(3)上除金属膜阵列(51)以外的区域覆盖一层高纯度的石英掩膜(7)，露出金属膜阵列(51)；

步骤6、在高纯度石英掩膜(7)与金属膜阵列(51)上形成一完全覆盖所述石英掩膜(7)和金属膜阵列(51)的石墨烯层(9)；

步骤7、对石墨烯层(9)进行蚀刻，同时蚀刻掉覆盖在所述缓冲层(3)上的石英掩膜(7)，形成与步骤4中金属膜阵列(51)重合的石墨烯层阵列(91)；

步骤8、在具有有金属膜阵列(51)和石墨烯层阵列(91)的缓冲层(3)上生长非晶硅薄膜(2)；

步骤9、对非晶硅薄膜(2)进行高温去氢处理；

步骤10、对非晶硅薄膜(2)进行ELA准分子激光退火处理，非晶硅薄膜(2)吸收激光的能量后温度升高直至熔融状态；

步骤11、熔化后的非晶硅进行重结晶，以金属膜阵列(51)与石墨烯层阵列(91)构成的低温区为起点向四周高温区域生长变大形成多晶硅；

所述金属膜阵列(51)与石墨烯层阵列(91)的位置设置在沟道附近。

2.如权利要求1所述的定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，所述步骤2中的缓冲层(3)由两部分组成，靠近玻璃基板(1)的部分为非晶氮化硅SiNx，相对远离玻璃基板(1)的部分为硅氧化物SiOx，即所述SiOx位于SiNx上。

3.如权利要求1所述的定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，所述步骤3中使用物理气相沉积法镀金属形成金属膜层(5)。

4.如权利要求1所述的定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，所述步骤3中的金属膜层(5)的厚度为10-500nm。

5.如权利要求4所述的定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，所述金属膜层(5)的材料为铜Cu、镍Ni、金Au、铂金Pt、铁Fe、钼Mo，铝Al中的一种或多种，纯度≥99.9％。

6.如权利要求1所述的定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，所述步骤6中，石墨烯层(9)的厚度为0.35-20nm。

7.如权利要求1所述的定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，所述步骤6中，采用低温化学气相沉积法，以烃类为碳源镀石墨烯，形成石墨烯层(9)。

8.如权利要求7所述的定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，所述化学气相沉积法的工艺条件为：压强5Pa-5kPa，温度400-680℃。

9.如权利要求1所述的定义多晶硅生长方向的方法，其特征在于，所述步骤7中使用激光蚀刻或干法蚀刻对石墨烯层(9)进行蚀刻。