[发明专利]具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法

摘要

具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法。本公开涉及一种用于边缘场型平板显示器的具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法。本公开提出了一种具有氧化物半导体层的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括包括多个像素区域的基板；形成在基板上的选通元件；覆盖选通元件的栅绝缘层；在栅绝缘层上的沟道层，从沟道层的第一侧扩展的源区，从沟道层的第二侧扩展的漏区，以及从漏区扩展至像素区域的像素电极；在沟道层上形成的具有与沟道层相同的大小的蚀刻阻挡件；在蚀刻阻挡件上形成的数据元件；覆盖蚀刻阻挡件和数据元件的钝化层；以及在钝化层上并且在像素区域内形成的公共电极。

主权项

一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：包括多个像素区域的基板；形成在所述基板上的选通元件；覆盖所述选通元件的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上的沟道层，从该沟道层的第一侧扩展的源区，从所述沟道层的第二侧扩展的漏区，以及从该漏区扩展至所述像素区域的像素电极；在所述沟道层上形成并具有与所述沟道层相同的大小的蚀刻阻挡件；在所述蚀刻阻挡件上形成的数据元件；覆盖所述蚀刻阻挡件和所述数据元件的钝化层；以及在所述钝化层上并且在所述像素区域内形成的公共电极，其中，所述数据元件进一步包括：在所述蚀刻阻挡件上形成并具有与所述沟道层相同的形状的公共连接线，并且其中，所述公共连接线连接至所述公共电极。