[发明专利]具有金属氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

包括多个像素区域的基板；

形成在所述基板上的选通元件；

覆盖所述选通元件的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上的沟道层，从该沟道层的第一侧扩展的源区，从所述沟道层的第二侧扩展的漏区，以及从该漏区扩展至所述像素区域的像素电极；

在所述沟道层上形成并具有与所述沟道层相同的大小的蚀刻阻挡件；

在所述蚀刻阻挡件上形成的数据元件；

覆盖所述蚀刻阻挡件和所述数据元件的钝化层；以及

在所述钝化层上并且在所述像素区域内形成的公共电极，

其中，所述数据元件进一步包括：在所述蚀刻阻挡件上形成并具有与所述沟道层相同的形状的公共连接线，并且

其中，所述公共连接线连接至所述公共电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述选通元件包括：

沿着所述基板的水平方向延伸的选通线；

从所述选通线分支至所述像素区域的栅极；以及

在所述选通线的一端设置的选通焊盘，

其中，所述数据元件包括：

在所述蚀刻阻挡件上沿着所述基板的垂直方向延伸的数据线；以及

在所述数据线的一端设置的数据焊盘，以及

其中，所述薄膜晶体管基板进一步包括：

源极，其将所述源区连接至所述数据线。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中，所述公共连接线被形成为在所述蚀刻阻挡件上与所述选通线交叉且将在垂直方向排列的多个公共电极连接。

4.一种制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括以下步骤：

第一掩模工艺，该第一掩模工艺利用栅金属材料在基板上形成选通元件；

第二掩模工艺，该第二掩模工艺通过在所述选通元件上顺序淀积栅绝缘层、氧化物半导体材料、蚀刻阻挡件材料以及数据金属材料并进行构图，来形成源区、漏区、沟道层、像素电极以及数据元件；

第三掩模工艺，该第三掩模工艺通过在具有所述数据元件的所述基板上淀积钝化层并进行构图，来露出所述源区和所述数据元件的一些部分；以及

第四掩模工艺，所述第四掩模工艺通过在所述钝化层上淀积透明导电材料并进行构图，来形成将所述源区连接至所述数据元件的源极和与所述像素电极交叠的公共电极，所述公共电极与所述像素电极之间具有所述钝化层，

其中，所述第二掩模工艺进一步包括以下步骤：在与所述沟道层交叠的所述蚀刻阻挡件上形成与选通线交叉并具有与所述蚀刻阻挡件相同的大小的公共连接线，所述公共连接线连接至所述公共电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二掩模工艺进一步包括以下步骤：

通过利用半色调掩模对所述氧化物半导体材料、所述蚀刻阻挡件材料以及所述数据金属材料进行构图，来形成与所述选通元件的栅极的中间部分交叠的蚀刻阻挡件、与所述选通线交叉的数据线、以及从所述数据线下方通过所述蚀刻阻挡件的下方扩展至像素区域的半导体层，以及

通过利用所述数据元件和所述蚀刻阻挡件作为掩模进行等离子体处理，来限定所述源区、所述漏区、所述像素电极以及所述沟道层。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第三掩模工艺进一步包括以下步骤：形成贯穿所述钝化层的用于露出所述公共连接线的一些部分的公共接触孔，并且

其中，在所述第四掩模工艺中，将所述公共电极通过所述公共接触孔连接至所述公共连接线。