[发明专利]一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法有效
| 申请号： | 201410293014.7 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104064557B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 于中尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法，所述结构包括第一芯片、第二芯片和再布线层，第一芯片和第二芯片设置在再布线层上，其中第一芯片和第二芯片距离再布线层具有第一距离；还包括第一限高块和第二限高块，第一限高块和第二限高块设置在再布线层上，其中第一限高块和第二限高块距离再布线层具有第二距离；其中，第一限高块和第二限高块之间分别布置第一芯片和第二芯片；再布线层、第一限高块、第二限高块、第一芯片、第二芯片构成了第一空间，且第一空间内填充树脂；其中，第二距离等于第一距离。本发明通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 背面 裸露 重构晶圆 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片背面裸露的重构晶圆结构，其特征在于，所述结构包括：第一芯片；第二芯片；再布线层，所述第一芯片和第二芯片设置在所述再布线层上，其中所述第一芯片和所述第二芯片距离所述再布线层具有第一距离；第一限高块和第二限高块，所述第一限高块和所述第二限高块设置在所述再布线层上，其中所述第一限高块和第二限高块距离所述再布线层具有第二距离；其中，所述第一限高块和第二限高块之间分别布置所述第一芯片和第二芯片；所述再布线层、所述第一限高块、所述第二限高块、所述第一芯片、所述第二芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；其中，所述第二距离等于所述第一距离；所述再布线层具体为一层结构或者多层结构。
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