[发明专利]一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法有效
| 申请号： | 201410293014.7 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104064557B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 于中尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 背面 裸露 重构晶圆 结构 制造 方法 | ||
1.一种芯片背面裸露的重构晶圆结构，其特征在于，所述结构包括：
第一芯片；
第二芯片；
再布线层，所述第一芯片和第二芯片设置在所述再布线层上，其中所述第一芯片和所述第二芯片距离所述再布线层具有第一距离；
第一限高块和第二限高块，所述第一限高块和所述第二限高块设置在所述再布线层上，其中所述第一限高块和第二限高块距离所述再布线层具有第二距离；
其中，所述第一限高块和第二限高块之间分别布置所述第一芯片和第二芯片；
所述再布线层、所述第一限高块、所述第二限高块、所述第一芯片、所述第二芯片构成了第一空间，且所述第一空间内填充树脂；
其中，所述第二距离等于所述第一距离。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述再布线层具体为一层结构或者多层结构。
3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述再布线层包括绝缘层和线路层。
4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述芯片还包括：
金属散热件，所述金属散热件设置于所述芯片表面。
5.一种芯片背面裸露的重构晶圆结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
将第一芯片、第二芯片、第一限高块、第二限高块贴在承载板的临时键合胶表面；
将塑封板覆盖在第一芯片、第二芯片、第一限高块和第二限高块上；
将树脂填充到第一空间内，并固化形成整体结构；
去掉所述塑封板；
去掉承载板和临时键合胶；
制作再布线层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
植入凸点。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
采用流动性好的液体树脂在低温填充的方式填充树脂，然后固化。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述将塑封板覆盖在芯片和限高块上之后，还包括：
采用高温下流动性好的树脂进行树脂的填充灌封，然后固化。
9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将第一芯片、第二芯片、第一限高块、第二限高块贴在承载板的临时键合胶表面，还包括：
将所述第一芯片、所述第二芯片布置于所述第一限高块、所述第二限高块之间。
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