[发明专利]一种电源自切换的稳压电路

摘要

本发明涉及一种电源自切换的稳压电路，包括稳压单元部分及电源切换单元部分，外部电源电压输入端接入稳压单元部分，稳压单元部分经由电源切换单元部分连接电源电压输出端，同时，电源切换单元部分还连接后备电源正极输入端。本发明的优点是采用分立元器件设计稳压电路，使得设计更加灵活，选择合适的MOSFET，可以设计高输入电压的稳压电路，如8～60V输入电压的稳压；同时MOSFET具有更高的效率，同等体积可以设计更大输出电流的稳压电路。

主权项

一种电源自切换的稳压电路，包括稳压单元部分及电源切换单元部分，外部电源电压输入端(Vin_DC)接入稳压单元部分，稳压单元部分经由电源切换单元部分连接电源电压输出端(Vout)，同时，电源切换单元部分还连接后备电源正极输入端(Battery)，其特征在于：稳压单元部分包括第一电阻(R1)、第一NMOS管(Q1)、第一稳压管(D1)、第二电阻(R2)、第二NMOS管(Q2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)及第一PNP三极管(Q3)，外部电源电压输入端(Vin_DC)经由第一电阻(R1)连接第二NMOS管(Q2)漏极，第一电阻(R1)同时跨接在第一NMOS管(Q1)漏极与栅极之间，第一NMOS管(Q1)漏极亦连接外部电源电压输入端(Vin_DC)，第一NMOS管(Q1)源极经过并联的第二电阻(R2)及第一电容(C1)与第二NMOS(Q2)栅极相连，第二NMOS管(Q2)栅极经第三电阻(R3)接地，第二NMOS管(Q2)源极经第四电阻(R4)接地，同时第二NMOS管(Q2)源极接第一PNP三极管(Q3)射极，第一PNP三极管(Q3)基极与集电极接地；电源切换单元部包括第一PMOS管(Q4)、第三PMOS管(Q5)、第二PMOS管(Q6)、第一二极管(D3)、第二稳压管(D2)及第五电阻(R5)，第一NMOS管(Q1)源极同时与第一PMOS管(Q4)漏极、第三PMOS管(Q5)栅极及第二PMOS管(Q6)栅极相连，第一PMOS管(Q4)栅极经第五电阻(R5)接地，同时与第一二极管(D3)阴极相连，第一二极管(D3)阳极与第三PMOS管(Q5)漏极及第二PMOS管(Q6)漏极相连，第二稳压管(D2)阴极接第一PMOS管(Q4)漏极，第二稳压管(D2)阳极接第一PMOS管(Q4)栅极，后备电源负极接地，后备电源正极输入端(Battery)与第二PMOS管(Q6)源极相连，第二PMOS管(Q6)漏极与第三PMOS管(Q5)漏极相连，第三PMOS管(Q5)源极与第一PMOS管(Q4)源极相接后与电源电压输出端(Vout)相连。