[发明专利]一种电源自切换的稳压电路无效
| 申请号: | 201410290540.8 | 申请日: | 2014-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN104022647A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
| 发明(设计)人: | 王丽春 | 申请(专利权)人: | 上海协霖电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156;H02J9/06 |
| 代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹;朱淑球 |
| 地址: | 200333 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 源自 切换 稳压 电路 | ||
1.一种电源自切换的稳压电路,包括稳压单元部分及电源切换单元部分,外部电源电压输入端(Vin_DC)接入稳压单元部分,稳压单元部分经由电源切换单元部分连接电源电压输出端(Vout),同时,电源切换单元部分还连接后备电源正极输入端(Battery),其特征在于:
稳压单元部分包括第一电阻(R1)、第一NMOS管(Q1)、第一稳压管(D1)、第二电阻(R2)、第二NMOS管(Q2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)及第一PNP三极管(Q3),外部电源电压输入端(Vin_DC)经由第一电阻(R1)连接第二NMOS管(Q2)漏极,第一电阻(R1)同时跨接在第一NMOS管(Q1)漏极与栅极之间,第一NMOS管(Q1)漏极亦连接外部电源电压输入端(Vin_DC),第一NMOS管(Q1)源极经过并联的第二电阻(R2)及第一电容(C1)与第二NMOS(Q2)栅极相连,第二NMOS管(Q2)栅极经第三电阻(R3)接地,第二NMOS管(Q2)源极经第四电阻(R4)接地,同时第二NMOS管(Q2)源极接第一PNP三极管(Q3)射极,第一PNP三极管(Q3)基极与集电极接地;
电源切换单元部包括第一PMOS管(Q4)、第三PMOS管(Q5)、第二PMOS管(Q6)、第一二极管(D3)、第二稳压管(D2)及第五电阻(R5),第一NMOS管(Q1)源极同时与第一PMOS管(Q4)漏极、第三PMOS管(Q5)栅极及第二PMOS管(Q6)栅极相连,第一PMOS管(Q4)栅极经第五电阻(R5)接地,同时与第一二极管(D3)阴极相连,第一二极管(D3)阳极与第三PMOS管(Q5)漏极及第二PMOS管(Q6)漏极相连,第二稳压管(D2)阴极接第一PMOS管(Q4)漏极,第二稳压管(D2)阳极接第一PMOS管(Q4)栅极,后备电源负极接地,后备电源正极输入端(Battery)与第二PMOS管(Q6)源极相连,第二PMOS管(Q6)漏极与第三PMOS管(Q5)漏极相连,第三PMOS管(Q5)源极与第一PMOS管(Q4)源极相接后与电源电压输出端(Vout)相连。
2.如权利要求1所述的一种电源自切换的稳压电路,其特征在于,所述稳压单元部分还包括第一稳压管(D1),所述第一NMOS管(Q1)源极与第一稳压管(D1)阴极相连,第一稳压管(D1)阳极经过所述并联的第二电阻(R2)及第一电容(C1)与所述第二NMOS(Q2)栅极相连。
3.如权利要求1所述的一种电源自切换的稳压电路,其特征在于,所述第一NMOS管(Q1)及所述第二NMOS管(Q2)或选择相同的型号或采用双NMOS复合管。
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