[发明专利]具有在振膜与对电极之间的低压区的MEMS麦克风有效
| 申请号： | 201410289575.X | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104254046B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | A·德厄;A·弗勒梅尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种MEMS麦克风，包括第一振膜元件、对电极元件、以及在第一振膜元件与对电极元件之间的低压区。低压区具有比环境压强更小的压强。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 之间 低压 mems 麦克风 | ||
【主权项】：
一种MEMS麦克风，包括：第一振膜元件；第二振膜元件，与所述第一振膜元件间隔开；低压区，在所述第一振膜元件和所述第二振膜元件之间，所述低压区具有比环境压强更小的压强；第一对电极元件，设置在所述低压区内；以及第二对电极元件，与所述第一对电极元件间隔开，并且设置在所述低压区内。
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