[发明专利]具有在振膜与对电极之间的低压区的MEMS麦克风

权利要求书

1.一种MEMS麦克风，包括：

第一振膜元件；

第二振膜元件，与所述第一振膜元件间隔开；

低压区，在所述第一振膜元件和所述第二振膜元件之间，所述低压区具有比环境压强更小的压强；

第一对电极元件，设置在所述低压区内；以及

第二对电极元件，与所述第一对电极元件间隔开，并且设置在所述低压区内。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述低压区中的所述压强基本上为真空。

3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述低压区中的所述压强比所述环境压强的50％更小。

4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述低压区由所述第一振膜元件和所述第二振膜元件形成。

5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述第一振膜元件电耦合至所述第二振膜元件。

6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述第一振膜元件与所述第二振膜元件电隔离。

7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述第一对电极元件与所述第二对电极元件电隔离。

8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述第一振膜元件具有至少1nm/Pa的振膜柔量。

9.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述第一振膜元件具有至少5nm/Pa的振膜柔量。

10.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中所述低压区在密封腔体内。

11.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，进一步包括耦合在所述第一振膜元件与支撑结构之间的铰链元件。

12.根据权利要求11所述的MEMS麦克风，其中所述铰链元件包括配置以横向约束所述低压区的壁元件。

13.根据权利要求12所述的MEMS麦克风，其中所述壁元件耦合至所述支撑结构，使得所述支撑结构参与约束所述低压区。

14.根据权利要求12所述的MEMS麦克风，其中所述对电极元件通过在所述铰链元件中的至少一个间隙独立于所述铰链元件地耦合至所述支撑结构，所述至少一个间隙从所述低压区延伸至所述支撑结构。

15.一种MEMS麦克风，包括：

第一振膜元件；

第二振膜元件，与所述第一振膜元件分隔开；

低压区，设置在所述第一振膜元件与所述第二振膜元件之间，所述低压区具有比环境压强更小的压强；

第一对电极元件，设置在所述低压区内；以及

一个或多个支柱，耦合在所述第一振膜元件与所述第二振膜元件之间，其中所述一个或多个支柱是导电的。

16.根据权利要求15所述的MEMS麦克风，其中所述低压区中的压强基本上是真空。

17.根据权利要求15所述的MEMS麦克风，其中所述低压区中的压强比所述环境压强的50％更小。

18.根据权利要求15所述的MEMS麦克风，其中所述低压区在密封腔体内。

19.根据权利要求15所述的MEMS麦克风，进一步包括与所述第一对电极元件电隔离并且布置在所述低压区中的第二对电极元件。

20.一种MEMS麦克风，包括：

第一振膜元件；

第二振膜元件，与所述第一振膜元件间隔开；

低压区，设置在所述第一振膜元件与所述第二振膜元件之间，所述低压区具有比环境压强更小的压强；

第一对电极元件，设置在所述低压区内；以及

第三振膜元件，所述第三振膜元件具有比所述第一振膜元件的刚度或者所述第二振膜元件的刚度更小的刚度。