[发明专利]通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法有效
| 申请号: | 201410286807.6 | 申请日: | 2014-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN105334699B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
| 发明(设计)人: | 刘尧;陈福成 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张东梅 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法。该方法解决了光刻厚胶工艺中,光刻胶侧壁难以实现具有底切结构的形貌的难题,同时具有成本低、实施性强等优点。根据本发明的方法包括:涂覆第一光刻胶并进行前烘,所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光;涂覆第二光刻胶并进行前烘,所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光,且所述第二波长不同于所述第一波长;使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光;使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光;对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影,其中设置曝光条件,使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸。 | ||
| 搜索关键词: | 通过 重复 曝光 改进 光刻 形貌 方法 | ||
【主权项】:
1.一种重复曝光光刻胶的方法,包括:涂覆第一光刻胶并进行前烘,所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光;涂覆第二光刻胶并进行前烘,所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光,且所述第二波长不同于所述第一波长;使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光;使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光;对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影,其中设置曝光条件,使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸,其中,所述第一光刻胶和第二光刻胶为正性光刻胶,在对所述第一光刻胶进行曝光时,加大曝光能量,使得第一光刻胶过曝光,从而显影后的第一光刻胶的尺寸小于设计尺寸,在对所述第二光刻胶进行曝光时,利用所述第二光刻胶的最佳曝光条件,使得显影后的第二光刻胶的尺寸等于设计尺寸。
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