[发明专利]通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法有效

专利信息
申请号: 201410286807.6 申请日: 2014-06-24
公开(公告)号: CN105334699B 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 刘尧;陈福成 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张东梅
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法。该方法解决了光刻厚胶工艺中,光刻胶侧壁难以实现具有底切结构的形貌的难题,同时具有成本低、实施性强等优点。根据本发明的方法包括:涂覆第一光刻胶并进行前烘,所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光;涂覆第二光刻胶并进行前烘,所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光,且所述第二波长不同于所述第一波长;使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光;使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光;对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影,其中设置曝光条件,使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸。
搜索关键词: 通过 重复 曝光 改进 光刻 形貌 方法
【主权项】:
1.一种重复曝光光刻胶的方法,包括:涂覆第一光刻胶并进行前烘,所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光;涂覆第二光刻胶并进行前烘,所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光,且所述第二波长不同于所述第一波长;使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光;使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光;对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影,其中设置曝光条件,使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸,其中,所述第一光刻胶和第二光刻胶为正性光刻胶,在对所述第一光刻胶进行曝光时,加大曝光能量,使得第一光刻胶过曝光,从而显影后的第一光刻胶的尺寸小于设计尺寸,在对所述第二光刻胶进行曝光时,利用所述第二光刻胶的最佳曝光条件,使得显影后的第二光刻胶的尺寸等于设计尺寸。
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