[发明专利]通过重复曝光改进光刻胶形貌的方法有效
| 申请号： | 201410286807.6 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105334699B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘尧;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 重复 曝光 改进 光刻 形貌 方法 | ||
1.一种重复曝光光刻胶的方法，包括：
涂覆第一光刻胶并进行前烘，所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光；
涂覆第二光刻胶并进行前烘，所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光，且所述第二波长不同于所述第一波长；
使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光；
使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光；
对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影，
其中设置曝光条件，使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸,其中，所述第一光刻胶和第二光刻胶为正性光刻胶，在对所述第一光刻胶进行曝光时，加大曝光能量，使得第一光刻胶过曝光，从而显影后的第一光刻胶的尺寸小于设计尺寸，在对所述第二光刻胶进行曝光时，利用所述第二光刻胶的最佳曝光条件，使得显影后的第二光刻胶的尺寸等于设计尺寸。
2.一种重复曝光光刻胶的方法，包括：
涂覆第一光刻胶并进行前烘，所述第一光刻胶仅对第一波长的光感光；
涂覆第二光刻胶并进行前烘，所述第二光刻胶仅对第二波长的光感光，且所述第二波长不同于所述第一波长；
使用第一波长的光对所述第一光刻胶进行曝光；
使用第二波长的光对所述第二光刻胶进行曝光；
对曝光后的第一光刻胶和第二光刻胶进行显影，
其中设置曝光条件，使得在显影后第一光刻胶的尺寸小于第二光刻胶的尺寸,其中，所述第一光刻胶和第二光刻胶为负性光刻胶，在对所述第一光刻胶进行曝光时，利用所述第一光刻胶的最佳曝光条件，使得显影后的第一光刻胶的尺寸等于设计尺寸，在对所述第二光刻胶进行曝光时，加大曝光能量，使得显影后的第二光刻胶的尺寸大于设计尺寸。
3.如权利要求1或2所述的方法，还包括在显影之后，对所得结构进行后烘。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一波长为365nm。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第二波长为248nm。
6.一种半导体结构，包括通过权利要求1至5中的任一项所述方法制造的结构。
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