[发明专利]磁记录介质的制造方法及磁记录介质有效
申请号: | 201410282969.2 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN104230164B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 中岛哲也;西泽学;秋山顺 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C03C3/087 | 分类号: | C03C3/087;C03C3/083;C03C3/091;C03C17/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 于洁;王海川 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供错误产生率低的磁记录介质的制造方法及磁记录介质。一种磁记录介质的制造方法,其为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法,其中,包括在所述玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形,所述玻璃基板的玻璃含有5摩尔%以上的Al2O3,B2O3的含量为0.1摩尔%以上且15摩尔%以下;或者所含有的碱金属氧化物为一种以下,碱金属氧化物的含量为0摩尔%以上且25摩尔%以下;或者含有两种以上的碱金属氧化物,碱金属氧化物的含量大于0摩尔%且为20摩尔%以下。 1 | ||
搜索关键词: | 磁记录介质 碱金属氧化物 玻璃基板 制造 变形 错误产生 弯曲变形 屈曲 玻璃 | ||
【主权项】:
1.一种磁记录介质的制造方法,其为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法,其中,包括在所述玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形,所述玻璃基板的玻璃含有5摩尔%以上的Al2O3,B2O3的含量为0.1摩尔%以上且小于2摩尔%,并且:所含有的碱金属氧化物为一种以下,碱金属氧化物的含量为0摩尔%以上且25摩尔%以下;或者含有两种以上的碱金属氧化物,碱金属氧化物的含量大于0摩尔%且为20摩尔%以下,从下表面侧支撑所述玻璃基板的直径方向的两端部,对所述玻璃基板的中央部上表面施加48小时负荷后去除负荷,将去除负荷后经过5小时时的平坦度与施加负荷前的平坦度之差的绝对值设为滞弹性变形量A时,所述滞弹性变形量A为2.0μm以下。
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