[发明专利]一种柔性薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410276830.7 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104051652A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 寇浩 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;邹宗亮 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种柔性薄膜晶体管，包括：柔性基板；阻挡层，设置于所述柔性基板之上；栅极，设置于所述阻挡层之上；栅极绝缘层，设置于所述阻挡层之上并覆盖所述栅极；有源半导体层，设置于所述栅极绝缘层之上；以及源/漏电极，设置于所述有源半导体层之上并与所述有源半导体层电接触，其中所述阻挡层为包括氮化硅层、氧化硅层和氧化铝层的层叠结构。本发明的柔性薄膜晶体管在阻挡层中加入具有优异阻水/氧性能且缺陷极少的氧化铝层，利用氧化铝层具有较低应力的特性同时形成多层层叠的阻挡层结构，从而缓解薄膜的内应力的积累和叠加，改善了阻挡层与柔性基板的附着性，进而减少薄膜出现脱落的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种柔性薄膜晶体管，包括：柔性基板；阻挡层，设置于所述柔性基板之上；栅极，设置于所述阻挡层之上；栅极绝缘层，设置于所述阻挡层之上并覆盖所述栅极；有源半导体层，设置于所述栅极绝缘层之上；以及源/漏电极，设置于所述有源半导体层之上并与所述有源半导体层电接触，其中所述阻挡层为包括氮化硅层、氧化硅层和氧化铝层的层叠结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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