[发明专利]一种柔性薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201410276830.7 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104051652A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 寇浩 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;邹宗亮 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 薄膜晶体管 | ||
1.一种柔性薄膜晶体管，包括：
柔性基板；
阻挡层，设置于所述柔性基板之上；
栅极，设置于所述阻挡层之上；
栅极绝缘层，设置于所述阻挡层之上并覆盖所述栅极；
有源半导体层，设置于所述栅极绝缘层之上；以及
源/漏电极，设置于所述有源半导体层之上并与所述有源半导体层电接触，
其中所述阻挡层为包括氮化硅层、氧化硅层和氧化铝层的层叠结构。
2.根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其中所述阻挡层包括：
氮化硅层；
氧化硅层，设置于所述氮化硅层之上；以及
氧化铝层，设置于所述氧化硅层之上。
3.根据权利要求2的柔性薄膜晶体管，其中所述阻挡层的总厚度为
4.根据权利要求3的柔性薄膜晶体管，其中所述阻挡层中所述氧化铝层的厚度占所述阻挡层总厚度的1/20～1/5，所述氧化硅层的厚度占所述阻挡层总厚度的1/5～1/2，其余为氮化硅层。
5.根据权利要求3的柔性薄膜晶体管，其中所述阻挡层中所述氧化铝层的厚度占所述阻挡层总厚度的1/10～1/8，所述氧化硅层的厚度占所述阻挡层总厚度的1/3，其余为氮化硅层。
6.根据权利要求1的柔性薄膜晶体管，其中所述栅极绝缘层为包括氮化硅层、氧化硅层和氧化铝层的层叠结构。
7.根据权利要求6的柔性薄膜晶体管，其中所述栅极绝缘层包括：
氮化硅层；
氧化硅层，设置于所述氮化硅层之上；以及
氧化铝层，设置于所述氧化硅层之上。
8.根据权利要求7的柔性薄膜晶体管，其中所述栅极绝缘层的总厚度为
9.根据权利要求8的柔性薄膜晶体管，其中所述栅极绝缘层中所述氧化铝层的厚度占所述栅极绝缘层总厚度的1/20～1/5，所述氧化硅层的厚度占所述栅极绝缘层总厚度的1/5～1/2，其余为所述氮化硅层。
10.根据权利要求1至9中任一项的柔性薄膜晶体管，还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层设置于所述源/漏电极之上，且所述刻蚀阻挡层包含至少一层氧化铝层。
11.根据权利要求10的柔性薄膜晶体管，其中所述刻蚀阻挡层的厚度为
12.根据权利要求10的柔性薄膜晶体管，还包括保护层，所述保护层设置于所述栅极绝缘层和所述刻蚀阻挡层之上，且所述保护层包含至少一层氧化铝层。
13.根据权利要求12的柔性薄膜晶体管，其中所述保护层的厚度为
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