[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，在一半导体衬底上形成用于定义栅极的栅极硬掩膜以及围绕在所述栅极硬掩膜侧面的侧墙硬掩膜，通过利用侧墙硬掩膜作为自对准硬掩膜，先对半导体衬底形成具有倾斜侧面的第一鳍式结构，然后在第一鳍式结构之间形成浅沟槽隔离，接着移除侧墙硬掩膜，进行第二次刻蚀，最终获得了上下宽度不同的鳍式场效应晶体管，由于在填充氧化层形成所述浅沟槽隔离时第一鳍式结构的侧面为倾斜斜面，从而增加了填充工艺窗口，减少填充空隙，提高器件性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成用于定义栅极的栅极硬掩膜以及围绕在所述栅极硬掩膜侧面的侧墙硬掩膜；以所述栅极硬掩膜和侧墙硬掩膜为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成多个具有倾斜侧面的第一鳍式结构，相邻第一鳍式结构之间为隔离沟道；在所述隔离沟道内填充隔离材料，形成浅沟道隔离，所述浅沟道隔离的侧壁具有倾斜度，所述浅沟道隔离的上表面低于所述第一鳍式结构的上表面；移除所述侧墙硬掩膜，以所述栅极掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一鳍式结构至所述浅沟道隔离的表面形成底面宽度小于第一鳍式结构上表面宽度的第二鳍式结构。