[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201410275989.7 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104037088A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成用于定义栅极的栅极硬掩膜以及围绕在所述栅极硬掩膜侧面的侧墙硬掩膜；
以所述栅极硬掩膜和侧墙硬掩膜为掩膜，刻蚀所述半导体衬底形成多个具有倾斜侧面的第一鳍式结构，相邻第一鳍式结构之间为隔离沟道；
在所述隔离沟道内填充隔离材料，形成浅沟道隔离，所述浅沟道隔离的侧壁具有倾斜度，所述浅沟道隔离的上表面低于所述第一鳍式结构的上表面；
移除所述侧墙硬掩膜，以所述栅极掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一鳍式结构至所述浅沟道隔离的表面形成底面宽度小于第一鳍式结构上表面宽度的第二鳍式结构。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极硬掩膜和侧墙硬掩膜的材质为SiN，SiON，α-C，SiO2，BN，TiN中的至少一种。
3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极硬掩膜的厚度大于10nm，所述侧墙硬掩膜的宽度大于5nm。
4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在所述隔离沟道内填充隔离材料，形成浅沟道隔离的步骤包括：
在包含第一鳍式结构的半导体衬底表面沉积氧化层至填满所述隔离沟道；
化学机械平坦化所述氧化层直至暴露出所述栅极硬掩膜的上表面；
回刻蚀一定深度的所述氧化层，形成上表面低于所述第一鳍式结构的上表面的所述浅沟道隔离。
5.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一鳍式结构与所述第二鳍式结构的侧面斜率相等或者不相等。
6.如权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二鳍式结构的侧面为垂直于所述浅沟道隔离的上表面的竖直侧面。
7.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一鳍式结构形成第二鳍式结构。
8.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺或者湿法腐蚀工艺回刻蚀一定深度的所述氧化层。
9.如权利要求1至7中任一项所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，移除所述侧墙硬掩膜之前或者之后，形成第二鳍式结构之前，对所述所述第一鳍式结构进行倾斜角度的离子注入。
10.如权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述注入离子为氮、氩或碳。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
